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            砷化鎵(化學物)

              砷化鎵(gallium arsenide),化學式 GaAs。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。

              砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外,還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小,導熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產理想化學配比的高純的單晶材料,技術上要求比較高。

              GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性,使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時,GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓,所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性,GaAs電路可以運用在移動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。GaAs曾用來做成甘恩二極管、微波二極管和耿氏二極管)以發射微波。

              GaAs的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因為它含有As,經研究指出,As是劇毒的。但是,因為GaAs的晶體很穩定,所以如果身體吸收了少量的GaAs,其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程(磨GaAs晶圓使表面微粒變?。r,表面的區域會和水起反應,釋放或分解出少許的As。就環境、健康和安全等方面來看GaAs時,及金屬有機化合物前驅物的工業衛生監控研究,都最近指出以上的觀點。

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